Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Epitaxie von Nitrid-basierten LEDs
Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Epitaxie von Nitrid-basierten LEDs
<body> <h1>Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Epitaxie von Nitrid-basierten LEDs</h1> <h2>OSRAM GmbH, Regensburg</h2> <p> Verbinde Licht mit Intelligenz und Innovation mit Leidenschaft Die ams OSRAM Gruppe ist ein weltweit führender Anbieter von optischen Lösungen. Wir verbinden Licht mit Intelligenz und Innovation mit Leidenschaft und bereichern so das tägliche Leben. Das bedeutet für uns Sensing is Life. Unsere rund 26.000 Mitarbeiter*innen weltweit konzentrieren sich auf Innovationen in den Technologiefeldern Sensorik, Illumination und Visualisierung, um Reisen sicherer, medizinische Diagnosen präziser und tägliche Momente in der Kommunikation erlebnisreicher zu machen. Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Epitaxie von Nitrid-basierten LEDs Standort: Regensburg Ihre Aufgaben Entwicklung und Herstellung von innovativen GaN-basierten Halbleiterstrukturen sowie Entwicklung der zugehörigen MOCVD-Wachstumsprozessen im GaN-Materialsystem Selbständige Planung und Auswertungen von Experimenten in der Epitaxie-Entwicklung auf Basis einschlägiger Charakterisierungsmethoden (z.B. PL, SEM, XRD, AFM, SIMS, etc.) zur Verbesserung der primären Bauteilkenngrößen (z.B. Stabilität, Effizienz, Ausgangsleistung) Intensive Zusammenarbeit mit interdisziplinären, multikulturellen Expertenteams aus Epitaxie, Simulation, Analytik und Chipprozessierung Anspruch auf 30 Urlaubstage Ein attraktives Gehalt und unsere betriebliche Altersvorsorge Weihnachts- und Urlaubsgeld Flexible Arbeitszeitgestaltung Flexible Home-Office-Regelungen zur Förderung einer gesunden Work-Life-Balance Ihre Qualifikationen Erfolgreich abgeschlossenes Studium (Master, Diplom) der Physik/Chemie, Materialwissenschaften oder eines vergleichbaren technischen/naturwissenschaftlichen Studiengangs bevorzugt mit einschlägiger zusätzlicher Promotion Relevante einschlägige Berufserfahrung in der III-V-Epitaxie-Entwicklung auf dem Niveau eines (Senior-)Experten bevorzugt mit Schwerpunkt im (Al)(In)GaN-Materialsystem Fundierte Erfahrung im Bereich der MOCVD-Prozesse und -Hardware mit vertieften Kenntnissen der Einflüsse der Epitaxie-Designs auf die Bauteilperformance sowie deren Charakterisierungsmethoden Kenntnisse der Wechselwirkung zwischen Epitaxie-Design und Chipprozessierung Leidenschaftlicher Teamspieler gepaart mit Innovationsfähigkeit, Problemlösungsstärke und hoher Verlässlichkeit Sehr gute Englischkenntnisse, Grundkenntnisse in Deutsch wären zu bevorzugen Sie profitieren in dieser Position von flexiblen Arbeitszeit- und Arbeitsplatzregelungen einem attraktiven Gehalt und unserer betrieblichen Altersvorsorge umfangreichen Weiterbildungsangeboten einem vielseitigen Sportangebot durch Betriebssportgruppen und Vergünstigungen Bewerben Sie sich jetzt und bringen Sie Ihre Karriere in einer Position voran, die Sie fachlich herausfordert und viele Extras bietet: Jetzt bewerben Ihre Fragen beantworten wir gerne per E-Mail: career@ams-osram.com Erfahren Sie mehr über Ihre Karrierechancen bei OSRAM: careers.ams-osram.com Facebook Twitter YouTube Xing Xing LinkedIn Instagram Kununu Kununu Glassdoor </p> </body>