Wissenschaftler (m/w/d) - Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) Nitrid-Halbleiter
Wissenschaftler (m/w/d) - Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) Nitrid-Halbleiter
<body> <h1>Wissenschaftler (m/w/d) - Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) Nitrid-Halbleiter</h1> <h2>Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF, Freiburg im Breisgau</h2> <p> Jetzt bewerben » Ort: Freiburg Wissenschaftler (m/w/d) - Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) Nitrid-Halbleiter Die Fraunhofer-Gesellschaft ( www.fraunhofer.de ) betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 800 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 3,0 Milliarden Euro. Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund. Der Schwerpunkt Ihrer Arbeit als Wissenschaftler*in liegt in der Erforschung geeigneter Prozesse für die Herstellung komplexer nitridischer Halbleiter-Schichtfolgen mit dem Verfahren der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD). Sie sind dabei als Teil eines Teams aus Wissenschaftler*innen, Ingenieur*innen und Techniker*innen an aktuellen Forschungsprojekten zur Entwicklung innovativer elektronischer und optoelektronischer Bauteile für zahlreiche Anwendungen, z. B. in der Leistungselektronik, beteiligt. Was Sie bei uns tun Sie entwickeln und optimieren bestehende und neue MOCVD-Prozesse. Die Oberflächenmorphologie epitaktischer Schichten charakterisieren Sie mittels optischer und Rasterkraftmikroskopie und nutzen Kapazitäts-Spannungs- (CV-) und Hall-Messungen, um ihre elektrischen Eigenschaften zu bestimmen. Zusammen mit Ergebnissen der hochauflösenden Röntgendiffratometrie (HRXRD), Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) und Photolumineszenz-Spektroskopie (PL) verwenden Sie diese Daten zur Bewertung der Materialqualität. Darüber hinaus übernehmen Sie die Analyse und Modellbildung der Wachstumskinetik der Epitaxie-Prozesse. Sie nutzen Charakterisierungsdaten der aus den abgeschiedenen Schichten hergestellten Bauelemente, um die Epitaxiestrukturen und Wachstumsbedingungen anzupassen und die Leistungsparameter der Bauelemente zu verbessern. Dazu leiten Sie Forschungsprojekte bzw. Teilprojekte und arbeiten dabei eng mit anderen Gruppen und Abteilungen am Institut zusammen. Sie wirken bei der Akquise neuer Forschungsprojekte öffentlicher und industrieller Auftraggeber mit. Gemeinsam mit der zuständigen Gruppenleitung tragen Sie die wissenschaftliche Verantwortung für die MOCVD von Nitrid-Halbleitern sowie den sicheren und effektiven Betrieb der dafür eingesetzten Großanlagen. Dabei unterstützen Sie unsere Techniker*innen bzw. Ingenieur*innen und leiten sie bei Betrieb, Optimierung und Wartung der Anlagen an. Was Sie mitbringen Sie verfügen über ein erfolgreich abgeschlossenes Master- oder Diplomstudium in Physik, Chemie, Kristallographie, Materialwissenschaften oder einer vergleichbaren Fachrichtung. Selbstständige Forschungs- und Entwicklungstätigkeit können Sie beispielsweise durch eine erfolgreiche Promotion nachweisen. Sie bringen wissenschaftliches Interesse an Epitaxie, Kristallzucht oder Wachstumskinetik mit und haben ein grundlegendes Verständnis von Halbleiter-Bauelementen. Zusätzlich konnten Sie bereits Erfahrung in der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung oder alternativen Epitaxieverfahren sammeln. Sie zeichnen sich durch Ihren Teamgeist, Ihr Kommunikationsgeschick sowie eine eigenständige, zielgerichtete Arbeitsweise aus. Gute Englischkenntnisse (mind. B2) runden Ihr Profil ab. Was Sie erwarten können Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten Eine gute Arbeitsatmosphäre in einem kooperativen Team Persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsmaßnahmen Eine betriebliche Altersvorsorge (VBL) Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Beruf und Familie Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen - unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet. Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft. Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich über den "Jetzt bewerben"-Button mit Ihrem Lebenslauf, einem Anschreiben und Ihren Zeugnissen. Bitte beachten Sie, dass wir keine Bewerbungen per Mail berücksichtigen können. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen! Fragen zu dieser Ausschreibung beantwortet Ihnen gerne: Kathrin Escher recruiting@iaf.fraunhofer.de Fraunhofer IAF Personalabteilung Tullastraße 72 79108 Freiburg Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF www.iaf.fraunhofer.de Kennziffer: 72956 </p> </body>